Os IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistores) disponibilizados pela Ixys atendem comodamente as mais diversas aplicações e exigências que incluem velocidade, baixas perdas, altas tensões (de 300V a 4000V) em uma grande diversidade de encapsulamentos.
IGBTs NPT com desing mais robusto permitindo curto-circuitos (SCSOA), carga de gate extremamente baixa, menor emissão de EMI, RBSOA retangular @ 3 x Ic, Vce(sat) baixo e usam diodos Sonic na reversa (recuperação reversa rápida e suave com baixo drop-out).
NPT – Non Punch ThroughIGBTs rápidos com tensões de 600V a 1700V e correntes de 32A a 150A, RBSOA (Reverse Biased Safe Operating Area), comutação rápida, robustez para curto-circuitos e Vce(Sat) com coeficiente positivo viabilizando paralelismo de IGBTs.
PT SCSOA – Punch Through com capacidade para curto-circuitoIGBTs entre 600V e 1200V com opções de baixo Vce(Sat) (classes B e B2) e suporte a curto-circuitos (SCSOA) até 10us. Otimizados para aplicações de baixas e médias velocidades.
High Speed PT, 1kHz a 150kHz, low Vce(sat) = baixas perdas de conduçãoIGBTs com tensões de 300V a 1200V e correntes de 2A a 200A. Disponíveis com ou sem diodo ultra-rápido em paralelo
Características:
- Alto ganho – classes A2. A3. B2. B3. C2 e C3
- DC a 10kHz – classe A2
- 15kHz a 40kHz – classes B2 e B3
- 50kHz a 150kHz IGBT Polar – classe C3
IGBTs NPT com robustez para curto-circuitos (SCSOA) e polarização reversa (RBSOA), coeficiante positivo de Vce (IGBTs paralelizáveis), baixa saturação, picos altos de corrente e comutação rápida. Disponíveis nos encapsulamentos ISOPLUS264 e ISPLUS i4-PAC.
BiMOSFETs – Combinam as vantagens dos MOSFETs e IGBTsIGBTs com tensões de 1400V, 1600V e 1700V, e correntes de 5,7A a 70A com diodo rápido, Vce e diodo com coeficientes positivos facilitando o paralelismo.
RIGBTs - Reverse Blocking IGBTIGBTs para 1200V com correntes de 25A e 55A, bloqueio de tensão em ambas as direções e baixas perdas de condução e comutação. Ideais para comutação AC e conversores matriciais.
