MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) para aplicações exigentes que requeiram velocidade, baixas perdas, altas tensões (de 40V a 1200V) em uma grande diversidade de encapsulamentos.
A experiencia da IXYS no desenvolvimento de MOSFETs de potência elevada permitem a substituição de paralelismos resultando em ganhos de performance, confiabilidade e redução de custos.
As aplicações incluem fontes chaveadas, inversores, no-breaks, amplificadores lineares ou chaveados, gerenciamento de energia, relés de estado sólido, transmissores de RF, amplificadores para forno de indução, geradores de pulsos de alta energia para laser, etc.
MOSFETs Canal N de propósito geral com tensões de 55V a 1200V, e correntes de 0,1A a 250A podendo operar na região de avalanche.
Standard PMOSFETs Canal-P com tensões de 85V a 600V e correntes de 8A a 52A, encapsulamentos TO220, TO247, TO268 e TO3P, área de operação segura (SOA) retangular, baixa carga de gate e baixas indutâncias. Podem ser usado como complementares aos MOSFETs canal-N ou como circuito high-side com comutação de gate simplificada.
Mosfets com Diodo Intrínsico RápidoMOSFETs “HiPerFET” com diodo rápido na reversa e tempos pequenos de recuperação para reação rápida em cargas indutivas. Ideais para fontes chaveadas, inversores, no breaks, amplificadores classe-D e muitas outras aplicações.
Incluem as famílias Polar, PolarP2, Polar3, HiperRF, e High Voltage HiPerFets.
Características:
- Tensões entre 70V e 1200V
- Correntes entre 3A e 340A
- Disponível nas classes Q e Q2
- Classe Q – baixa carga de gate – comutação rápida
- Classe Q2 – muito baixa carga de gate – comutações muito rápidas
MOSFETs com desenho extremamente robusto para suportar os regimes térmicos presentes em aplicações lineares. As aplicações incluem reguladores e amplificadores lineares de alta qualidade. Apresentam-se com tensões máximas entre 100V e 1500V e encapsulamentos TO247, PLUS247, TO264 e PLUS264. A família L2 oferece robustez extra.
Estes MOSFETs possuem uma construção no canal de condução de forma a conduzir corrente com tensão zero no gate, requerendo tensão negativa para cortá-los. As aplicações são fontes/reguladores de corrente, reguladores, filtros em reguladores, alimentação estável de LEDs, relés de estado-sólido NF, amplificadores lineares, circuitos de proteção, circuitos de partida, geradores de rampa e cargas ativas.
Estes MOSFETs possuem uma construção no canal de condução de forma a conduzir corrente com tensão zero no gate, requerendo tensão negativa para cortá-los.
As aplicações são fontes/reguladores de corrente, reguladores, filtros em reguladores, alimentação estável de LEDs, relés de estado-sólido NF, amplificadores lineares, circuitos de proteção, circuitos de partida, geradores de rampa , cargas ativas e circuitos telefônicos como terminações resistivas.
São MOSFETs extremamente rápidos para uso em comunicação VHF, transmissores de FM, fontes chaveando acima de 1MHz e pulsadores de alta-voltagem. São apresentados como MOSFETs simples em ISOPLUS247 ou duplos (modelos DExxx) para operação push-pull.
Estes MOSFETs são desenhados para operação push-pull (classe AB2, AB ou A) em amplificadores até VHF de 550W. O push-pull apresenta dois MOSFETs casados no mesmo encapsulamento.
São MOSFETs que compartilham funcionamento em alta tensão (600V e 800V) com baixa resistência série. MOSFETs usualmente tendem a ter sua resistência série (Rds(on)) crescendo quadraticamente com as tensões limites de operação. A tecnologia CoolMOS permite que esta relação seja linear, e não quadrática, permitindo tensões elevadas com resistência de condução baixa.
